氧化反應是半導體芯片制程中基本工藝之一，是一種添加工藝，將氧氣加入到硅晶圓后在晶圓表面形成二氧化硅薄膜。薄膜是在高溫下形成，故也稱之為“熱氧化”。
硅很容易和氧發(fā)生反應，因此自然界中的硅大多以二氧化硅形態(tài)存在，如石英砂。硅很快和氧氣（水蒸氣）發(fā)生反應在硅表面形成二氧化硅，反應式可以表示為：
氧化過程中的氧是氣體，硅來自固態(tài)襯底，因此當生長二氧化硅時，就會消耗襯底上的硅，這層薄膜將朝向硅襯底內(nèi)生長。高溫時的熱能使氧分子移動得更快，且使氧分子擴散穿過已經(jīng)形成的氧化層與硅產(chǎn)生化學反應生成更厚的二氧化硅。溫度越高，氧分子移動得就越快，氧化薄膜生長的速度也就越快。高溫生長的氧化薄膜質(zhì)量比低溫生長的薄膜高，所以為了獲得高質(zhì)量的氧化薄膜及較快的生長速率，氧化過程必須在石英爐中高溫環(huán)境下進行。氧化是一種很慢的過程，甚至在溫度超過1000攝氏度的高溫爐中都要花費數(shù)小時才能生長出厚度約為5000A的氧化層。因此氧化工藝通常是批量過程，可同時處理50 - 200片的晶圓以獲得合理的產(chǎn)量。
硅的氧化工藝是整個IC過程的基本工藝之一。二氧化硅有許多應用：
屏蔽氧化層，阻擋光刻膠以避免硅片受污染，也可以在離子進入單晶硅之前先將離子散射以減小通道效應。
襯墊氧化層，用于減小氮化硅與硅之間的應力，如果沒有二氧化硅墊層作為應力緩沖，LPCVD氮化硅層高達10l0dyn/cm2 （達因/平方厘米）的張力將導致硅晶圓產(chǎn)生裂縫甚至破裂。
柵極氧化層，MOS結(jié)構的電介質(zhì)層，用于實現(xiàn)電流通路，進行場控的介質(zhì)。
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硅很容易和氧發(fā)生反應，因此自然界中的硅大多以二氧化硅形態(tài)存在，如石英砂。硅很快和氧氣（水蒸氣）發(fā)生反應在硅表面形成二氧化硅，反應式可以表示為：
Si + 02 —> SiO2
Si +H2O —> SiO2+H2
氧化過程中的氧是氣體，硅來自固態(tài)襯底，因此當生長二氧化硅時，就會消耗襯底上的硅，這層薄膜將朝向硅襯底內(nèi)生長。高溫時的熱能使氧分子移動得更快，且使氧分子擴散穿過已經(jīng)形成的氧化層與硅產(chǎn)生化學反應生成更厚的二氧化硅。溫度越高，氧分子移動得就越快，氧化薄膜生長的速度也就越快。高溫生長的氧化薄膜質(zhì)量比低溫生長的薄膜高，所以為了獲得高質(zhì)量的氧化薄膜及較快的生長速率，氧化過程必須在石英爐中高溫環(huán)境下進行。氧化是一種很慢的過程，甚至在溫度超過1000攝氏度的高溫爐中都要花費數(shù)小時才能生長出厚度約為5000A的氧化層。因此氧化工藝通常是批量過程，可同時處理50 - 200片的晶圓以獲得合理的產(chǎn)量。
晶圓尺寸：4、6英寸
工藝類型：干氧氧化、濕氧氧化（選配）
適用材料：碳化硅
應用領域：功率半導體、科研
工藝類型：干氧氧化、濕氧氧化（選配）
適用材料：碳化硅
應用領域：功率半導體、科研
晶圓尺寸：8英寸
工藝類型：干氧氧化、濕氧氧化、自由基氧化、高溫退火
適用材料：硅
應用領域：功率半導體、集成電路、襯底材料、科研
工藝類型：干氧氧化、濕氧氧化、自由基氧化、高溫退火
適用材料：硅
應用領域：功率半導體、集成電路、襯底材料、科研
晶圓尺寸：8英寸及以下
工藝類型：氧化、退火、合金、LPCVD
適用材料：硅、碳化硅
應用領域：功率半導體、光電器件、科研
工藝類型：氧化、退火、合金、LPCVD
適用材料：硅、碳化硅
應用領域：功率半導體、光電器件、科研
硅的氧化工藝是整個IC過程的基本工藝之一。二氧化硅有許多應用：
屏蔽氧化層，阻擋光刻膠以避免硅片受污染，也可以在離子進入單晶硅之前先將離子散射以減小通道效應。
襯墊氧化層，用于減小氮化硅與硅之間的應力，如果沒有二氧化硅墊層作為應力緩沖，LPCVD氮化硅層高達10l0dyn/cm2 （達因/平方厘米）的張力將導致硅晶圓產(chǎn)生裂縫甚至破裂。
柵極氧化層，MOS結(jié)構的電介質(zhì)層，用于實現(xiàn)電流通路，進行場控的介質(zhì)。
