技術(shù)參數(shù)

晶圓尺寸：6英寸

工藝類型：應(yīng)用于Poly、Nitride、TEOS工藝
多晶硅（Poly）:作為柵極和虛設(shè)柵極（Dummy Gate）
氮化硅（Nitride）:用做硅片最終的鈍化保護(hù)層、掩膜工藝和淺槽隔離工藝
二氧化硅（TEOS）：應(yīng)用于絕緣膜、淺槽隔離的填充物


適用材料：硅、碳化硅

應(yīng)用領(lǐng)域：功率半導(dǎo)體、科研